创唯电子代理销售VISHAY, SI4427BDY-T1-E3, SI4427BDY-T1-GE3, SI4430BDY-T1-E3, SI4431BDY-T1-E, SI4431BDY-T1-E3.
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SI4427BDY-T1-E3
VISHAY
单 P 沟道 30 V 0.0105 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - SOIC-8
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SI4427BDY-T1-GE3
VISHAY
场效应管 MOSFET P沟道 30V 9.7A 8SOIC
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SI4430BDY-T1-E3
VISHAY
单 N 沟道 30 V 0.0045 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - SOIC-8
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SI4431BDY-T1-E
Vishay
MOSFET，P沟道，30V，5.7A，SOIC8
暂无PDF
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SI4431BDY-T1-E3
VISHAY
单 P 沟道 30 V 0.03 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - SOIC-8
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SI4431CDY-T1-GE3
VISHAY
-30 V 9 A 32 Mohm 漏源导通电阻 当10 V时 25 nC Qg SO-8
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SI4434DY-T1-E3
VISHAY
单 N 沟道 250 V 0.155 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - SOIC-8
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SI4435BDY-T1-E
Vishay
ER - MOSFET; P-Channel; -40 A (Min.); -30 V; 20 V; -8 A @ 25 degC; 2.5 W @ 25 degC
暂无PDF
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SI4435DDY-T1-E3
VISHAY
Si4435DDY 系列 30 V 0.024 Ohm 表面贴装 P沟道 Mosfet - SOIC-8
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SI4435DDY-T1-GE
Vishay
MOSFET，P沟道，30V，8.1A，SOIC8
暂无PDF
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SI4435DDY-T1-GE3
VISHAY
-30 V 11.4 A 24 Mohm 漏源导通电阻 当10 V时 32 nC Qg SO-8
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SI4436DY-T1-E3
VISHAY
单 N沟道 60 V 0.036 Ohms 表面贴装 功率Mosfet - SOIC-8
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