PDF查询| 数据列表 | 50MT060WH |
|---|---|
| 标准包装 | 15 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | IGBT |
| 系列 | - |
| IGBT 类型 | PT |
| 配置 | 半桥 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 600V |
| 不同?Vge、Ic 时的?Vce(on) | 3.2V @ 15V，100A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 114A |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 400µA |
| 不同?Vce 时的输入电容 (Cies) | 7.1nF @ 30V |
| 功率 - 最大值 | 658W |
| 输入 | 标准 |
| NTC 热敏电阻 | 无 |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 封装/外壳 | 12-MTP |
| 供应商器件封装 | 12-MTP |
| 其它名称 | *50MT060WH VS-50MT060WH VS-50MT060WH-ND VS50MT060WH VS50MT060WH-ND |
