PDF查询| 数据列表 | SI8429DB |
|---|---|
| 产品相片 | 4-Micro Foot |
| 特色产品 | MOSFETs Designed for On-Resistance Ratings at 1.2 V |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | TrenchFET® |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平栅极，1.2V 驱动 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 8V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 11.7A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 35 毫欧 @ 1A，4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 800mV @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 26nC @ 5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1640pF @ 4V |
| 功率 - 最大值 | 6.25W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 4-XFBGA，CSPBGA |
| 供应商器件封装 | 4-Microfoot |
| 产品目录页面 | 1664 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | SI8429DB-T1-E1TR SI8429DBT1E1 |
