PDF查询| 数据列表 | SI7922DN |
|---|---|
| 产品相片 | PowerPAK 1212-8 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 阵列 |
| 系列 | TrenchFET® |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 100V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 1.8A |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 195 毫欧 @ 2.5A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 8nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | - |
| 功率 - 最大值 | 1.3W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | PowerPAK? 1212-8 双 |
| 供应商器件封装 | PowerPAK? 1212-8 Dual |
| 其它名称 | SI7922DN-T1-E3TR SI7922DNT1E3 |
