
| 数据列表 | SI7218DN |
|---|---|
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 阵列 |
| 系列 | TrenchFET® |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | 2 个 N 沟道(双) |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 24A |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 25 毫欧 @ 8A,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 17nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 700pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 23W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | PowerPAK? 1212-8 双 |
| 供应商器件封装 | PowerPAK? 1212-8 Dual |
| 其它名称 | SI7218DN-T1-E3-ND SI7218DN-T1-E3TR SI7218DNT1E3 |