PDF查询| 数据列表 | STx1(H)NK60(-1,R) |
|---|---|
| 产品相片 | DPAK_369D?01 |
| Reference Design Library | STEVAL-ISB001V1: 1 Cell Charger using Discretes |
| 标准包装 | 75 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | SuperMESH™ |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 600V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 1A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 8.5 欧姆 @ 500mA，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 3.7V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 10nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 156pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 30W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 其它名称 | 497-12782-5 STD1NK60-1-ND STD1NK601 |
