| 典型关断延迟时间 | 19 ns | |
| 典型功率增益 | 27 dB | |
| 典型接通延迟时间 | 9 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 6 nC V @ 10 | |
| 典型输入电容值@Vds | 260 pF V @ 10 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 宽度 | 2.3mm | |
| 封装类型 | TP | |
| 尺寸 | 6.5 x 2.3 x 7mm | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大功率耗散 | 10 W | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 220 mΩ | |
| 最大连续漏极电流 | 8 A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 通用 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 双漏极、单 | |
| 长度 | 6.5mm | |
| 高度 | 7mm |
