PDF查询| 数据列表 | 2SK669 |
|---|---|
| 产品相片 | 3-SPA |
| 产品目录绘图 | SPA Package N-Channel Top |
| 标准包装 | 2,500 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | - |
| 包装 | 散装 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 50V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 100mA （Ta） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 20 欧姆 @ 10mA，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | - |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 15pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 200mW |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | 3-SIP |
| 供应商器件封装 | 3-SPA |
| 产品目录页面 | 1537 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | 869-1019 |
