
| 数据列表 | MTM761230LBF View all Specifications |
|---|---|
| 产品相片 | WSMINI6-F1-B. |
| 产品培训模块 | MOSFETs for Power Management |
| 产品目录绘图 | MTM76xxxxLBF MTM76xxxxLBF Pin Out |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 3A (Ta) |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 55 毫欧 @ 1A,4V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1.3V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | - |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1000pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 700mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | WS迷你型6-F1 |
| 供应商器件封装 | WS迷你型6-F1-B |
| 产品目录页面 | 1489 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | MTM761230LBFTR |