PDF查询| 典型功率增益 | 19 dB | |
| 典型输入电容值@Vds | 125 pF V @ 28 | |
| 安装类型 | 螺丝 | |
| 宽度 | 16.81mm | |
| 封装类型 | CDFM | |
| 尺寸 | 24.97 x 16.81 x 7.27mm | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最低工作温度 | -65 °C | |
| 最大功率耗散 | 130 W | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 最大漏源电压 | 65 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.75 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 8 A | |
| 最高工作温度 | +200 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 类别 | 射频 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 共源、双 | |
| 长度 | 24.97mm | |
| 高度 | 7.27mm |
