
| 典型功率增益 | 29 dB | |
| 典型输入电容值@Vds | 1 pF @ 10 V(网关 2),2.1 pF @ 10 V(网关 1) | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 1.4mm | |
| 封装类型 | SOT | |
| 尺寸 | 3 x 1.4 x 1mm | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最低工作温度 | -65 °C | |
| 最大功率耗散 | 0.2 W | |
| 最大栅源电压 | 6 V | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 最大连续漏极电流 | 0.02 A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 射频 MOSFET | |
| 通道模式 | 消耗 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 双门、单 | |
| 长度 | 3mm | |
| 高度 | 1mm |