PDF查询| 典型功率增益 | 36（晶体管 A）dB，37（晶体管 B）dB | |
| 典型输入电容值@Vds | 2 pF pF @ 5 V（网关 1，晶体管 B），2.2 pF pF @ 5 V（网关 1，晶体管 A），3 pF pF @ 5 V（网关 2，晶体管 A），3.4 pF pF @ 5 V（网关 2，晶体管 B） | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 1.3mm | |
| 封装类型 | SOT-666，SSMini | |
| 尺寸 | 1.7 x 1.3 x 0.6mm | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最低工作温度 | -65 °C | |
| 最大功率耗散 | 0.18 W | |
| 最大栅源电压 | 6 V | |
| 最大漏源电压 | 6 V | |
| 最大连续漏极电流 | 0.03 A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 类别 | 射频 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 共源、双 | |
| 长度 | 1.7mm | |
| 高度 | 0.6mm |
