
| 数据列表 | PBSS5160DS |
|---|---|
| 产品相片 | SC-74, SOT-457 |
| 特色产品 | NXP - I2C Interface |
| PCN Design/Specification | Resin Hardener 02/Jul/2013 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | 晶体管(BJT) - 阵列 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 晶体管类型 | 2 PNP(双) |
| 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 770mA |
| 电压 - 集射极击穿(最大值) | 60V |
| 不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) | 330mV @ 100mA,1A |
| 电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA |
| 不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 150 @ 500mA,5V |
| 功率 - 最大值 | 420mW |
| 频率 - 跃迁 | 185MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-74,SOT-457 |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 产品目录页面 | 1505 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | 568-4351-2 934058121115 PBSS5160DS T/R PBSS5160DS T/R-ND |