PDF查询| 数据列表 | APT45GP120B2DQ2(G) |
|---|---|
| 产品相片 | T-MAX Pkg |
| 产品目录绘图 | T-MAX Front |
| 标准包装 | 30 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | IGBT - 单路 |
| 系列 | POWER MOS 7® |
| 包装 | 管件 |
| IGBT 类型 | PT |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 1200V |
| 不同?Vge、Ic 时的?Vce(on) | 3.9V @ 15V，45A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 113A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 170A |
| 功率 - 最大值 | 625W |
| Switching Energy | 900µJ (开), 905µJ (关) |
| 输入类型 | 标准 |
| Gate Charge | 185nC |
| Td (on/off) A 25°C | 18ns/100ns |
| Test Condition | 600V, 45A, 5 欧姆, 15V |
| 反向恢复时间 (trr) | - |
| 封装/外壳 | TO-247-3 变式 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | * |
| 产品目录页面 | 1633 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | APT45GP120B2DQ2GMI APT45GP120B2DQ2GMI-ND |
