
| 数据列表 | SPD,SPU01N60C3 |
|---|---|
| 产品相片 | DPAK_369D?01 |
| 产品培训模块 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters |
| 标准包装 | 1,500 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | CoolMOS™ |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 650V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 800mA (Tc) |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 6 欧姆 @ 500mA,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 3.9V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 5nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 100pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 11W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB |
| 供应商器件封装 | PG-TO251-3 |
| 产品目录页面 | 1616 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | SP000012110 SPU01N60C3-ND SPU01N60C3IN SPU01N60C3X SPU01N60C3XK |