
| 数据列表 | FS200R07A1E3 |
|---|---|
| 标准包装 | 4 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | IGBT |
| 系列 | - |
| IGBT 类型 | - |
| 配置 | 三相反相器 |
| 电压 - 集射极击穿(最大值) | 650V |
| 不同?Vge、Ic 时的?Vce(on) | 1.9V @ 15V,200A |
| 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 250A |
| 电流 - 集电极截止(最大值) | 1mA |
| 不同?Vce 时的输入电容 (Cies) | 13nF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 790W |
| 输入 | 标准 |
| NTC 热敏电阻 | 是 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 模块 |
| 供应商器件封装 | 模块 |
| 其它名称 | FS200R07A1E3BOSA1 FS200R07A1E3HOSA1 SP000663442 |