
| 数据列表 | BTS7904B |
|---|---|
| 产品相片 | TLE4276G V10 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 阵列 |
| 系列 | OptiMOS™ |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | N 和 P 沟道 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 55V,30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 40A |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 11.7 毫欧 @ 20A,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.2V @ 40µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 121nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 6100pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 69W,96W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-6,D²Pak(5 引线+接片),TO-263BA |
| 供应商器件封装 | PG-TO263-5 |
| 其它名称 | SP000415554 |