
| 数据列表 | BSZ340N08NS3G |
|---|---|
| 产品相片 | 8-TSDSON |
| 标准包装 | 5,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | OptiMOS™ |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 80V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 6A (Ta), 23A (Tc) |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 34 毫欧 @ 12A,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 3.5V @ 12µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 9.1nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 630pF @ 40V |
| 功率 - 最大值 | 32W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 供应商器件封装 | PG-TSDSON-8(3.3x3.3) |
| 其它名称 | BSZ340N08NS3G BSZ340N08NS3GINTR BSZ340N08NS3GXT SP000443634 |