PDF查询| 数据列表 | IXB(H,T)42N170 |
|---|---|
| 产品相片 | IXBT42N170 |
| 标准包装 | 30 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | IGBT - 单路 |
| 系列 | BIMOSFET™ |
| 包装 | 管件 |
| IGBT 类型 | - |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 1700V |
| 不同?Vge、Ic 时的?Vce(on) | 2.8V @ 15V，42A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 80A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 300A |
| 功率 - 最大值 | 360W |
| Switching Energy | - |
| 输入类型 | 标准 |
| Gate Charge | 188nC |
| Td (on/off) A 25°C | - |
| Test Condition | - |
| 反向恢复时间 (trr) | 1.32µs |
| 封装/外壳 | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 供应商器件封装 | TO-268 |
