
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 4mm | |
| 封装类型 | SOIC N | |
| 尺寸 | 1.5 x 10 x 4mm | |
| 引脚数目 | 16 | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 85 mW | |
| 最大发射极-基极电压 | 4 V | |
| 最大直流集电极电流 | 0.02 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 15 V | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 0.5 V | |
| 最大集电极-基极电压 | 20 V | |
| 最小直流电流增益 | 35 V | |
| 最高工作温度 | +125 °C | |
| 最高工作频率 | 1150 MHz | |
| 每片芯片元件数目 | 5 | |
| 类别 | 双极射频 | |
| 配置 | 五 | |
| 长度 | 10mm | |
| 高度 | 1.5mm |