
| 数据列表 | IRGIB10B60KD1P IRGIB10B60KD1 |
|---|---|
| 产品相片 | TO-220AB |
| 产品培训模块 | IGBT Primer Device and Applications High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
| 标准包装 | 50 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | IGBT - 单路 |
| 系列 | - |
| 包装 | 管件 |
| IGBT 类型 | NPT |
| 电压 - 集射极击穿(最大值) | 600V |
| 不同?Vge、Ic 时的?Vce(on) | 2.1V @ 15V,10A |
| 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 16A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 32A |
| 功率 - 最大值 | 44W |
| Switching Energy | 321µJ |
| 输入类型 | 标准 |
| Gate Charge | 41nC |
| Td (on/off) A 25°C | 25ns/180ns |
| Test Condition | 400V, 10A, 50 欧姆, 15V |
| 反向恢复时间 (trr) | 79ns |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB 整包 |
| 产品目录页面 | 1517 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | *IRGIB10B60KD1P |