
| 数据列表 | IRG4PH50S-EPbF |
|---|---|
| 产品相片 | irg4ph50s-epbf |
| 产品培训模块 | IGBT Primer Device and Applications High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
| 标准包装 | 25 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | IGBT - 单路 |
| 系列 | - |
| 包装 | 管件 |
| IGBT 类型 | - |
| 电压 - 集射极击穿(最大值) | 1200V |
| 不同?Vge、Ic 时的?Vce(on) | 1.7V @ 15V,33A |
| 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 57A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 114A |
| 功率 - 最大值 | 200W |
| Switching Energy | 21.4mJ |
| 输入类型 | 标准 |
| Gate Charge | 167nC |
| Td (on/off) A 25°C | 32ns/845ns |
| Test Condition | 960V, 33A, 5 欧姆, 15V |
| 反向恢复时间 (trr) | - |
| 封装/外壳 | TO-247-3(TO-247AD) |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-247AD |
| 产品目录页面 | 1517 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | IRG4PH50SEPBF |