PDF查询| 数据列表 | IRFHS9351PBF |
|---|---|
| 产品相片 | 6-VDFN |
| 设计资源 | IRFHS9351TR2PBF Saber Model IRFHS9351TR2PBF Spice Model |
| 特色产品 | Dual PQFN 2x2 and Dual PQFN 3.3x3.3 Power MOSFETs |
| 标准包装 | 1 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 阵列 |
| 系列 | HEXFET® |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| FET 类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 2.3A |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 170 毫欧 @ 3.1A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 2.4V @ 10µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 3.7nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 160pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 1.4W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-PowerVQFN |
| 供应商器件封装 | 6-PQFN（2x2） |
| 其它名称 | IRFHS9351TR2PBFCT |
