PDF查询| 数据列表 | IRFHM792TR(2)PbF |
|---|---|
| 设计资源 | IRFHM792TR2PBF Saber Model IRFHM792TR2PBF Spice Model |
| 标准包装 | 1 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 阵列 |
| 系列 | HEXFET® |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| FET 类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 100V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 2.3A |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 195 毫欧 @ 2.9A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 10µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 6.3nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 251pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 2.3W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 供应商器件封装 | 8-PQFN（3.3X3.3），Power33 |
| 其它名称 | IRFHM792TR2PBFCT |
