
| 数据列表 | IRF7504PbF |
|---|---|
| 产品相片 | 8-MSOP |
| 产品培训模块 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
| 标准包装 | 4,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 阵列 |
| 系列 | HEXFET® |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | 2 个 P 沟道(双) |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 1.7A |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 270 毫欧 @ 1.2A,4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 700mV @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 8.2nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 240pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 1.25W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) |
| 供应商器件封装 | Micro8? |
| 其它名称 | IRF7504TRPBF-ND IRF7504TRPBFTR |