PDF查询| 数据列表 | IRF5801PBF |
|---|---|
| 产品相片 | IRF5800TRPBF |
| 产品培训模块 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
| 设计资源 | IRF5801TRPBF Saber Model IRF5801TRPBF Spice Model |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | HEXFET® |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 200V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 600mA （Ta） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 2.2 欧姆 @ 360mA，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 5.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 3.9nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 88pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 2W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSOP（0.059"，1.50mm 宽） |
| 供应商器件封装 | Micro6?（TSOP-6） |
| 其它名称 | IRF5801TRPBF-ND IRF5801TRPBFTR |
