
| 数据列表 | HGTG5N120BND, HGTP5N120BND |
|---|---|
| 产品相片 | TO-220-3, TO-220AB |
| 产品培训模块 | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装 | 400 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | IGBT - 单路 |
| 系列 | - |
| 包装 | 管件 |
| IGBT 类型 | NPT |
| 电压 - 集射极击穿(最大值) | 1200V |
| 不同?Vge、Ic 时的?Vce(on) | 2.7V @ 15V,5A |
| 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 21A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 40A |
| 功率 - 最大值 | 167W |
| Switching Energy | 450µJ (开), 390µJ (关) |
| 输入类型 | 标准 |
| Gate Charge | 53nC |
| Td (on/off) A 25°C | 22ns/160ns |
| Test Condition | 960V, 5A, 25 欧姆, 15V |
| 反向恢复时间 (trr) | 30ns |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |