PDF查询| 典型关断延迟时间 | 17（N 通道）ns，20（P 通道）ns | |
| 典型接通延迟时间 | 7 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 14 nC @ 10 V（N 沟道），17 nC @ 10 V（P 沟道） | |
| 典型输入电容值@Vds | 1000 pF @ 20 V（P 沟道），750 pF @ 20 V（N 沟道） | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 6.22mm | |
| 封装类型 | TO-252 | |
| 尺寸 | 6.73 x 6.22 x 2.39mm | |
| 引脚数目 | 5 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 3100 mW | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 最大漏源电压 | 40 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.024（N 通道）Ω，0.054（P 通道）Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 6.5（P 通道）A，9（N 通道）A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N，P | |
| 配置 | 共漏极、双 | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 高度 | 2.39mm |
