
| 数据列表 | DST3946DPJ |
|---|---|
| 标准包装 | 10,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | 晶体管(BJT) - 阵列 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 晶体管类型 | NPN,PNP |
| 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 200mA |
| 电压 - 集射极击穿(最大值) | 40V |
| 不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) | 300mV @ 5mA,50mA / 400mV @ 5mA,50mA |
| 电流 - 集电极截止(最大值) | - |
| 不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 10mA,1V |
| 功率 - 最大值 | 300mW |
| 频率 - 跃迁 | 300MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-963 |
| 供应商器件封装 | SOT-963 |
| 其它名称 | DST3946DPJ-7DITR DST3946DPJ7 |