数据列表 | DI9430 |
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产品相片 | 8-SOIC |
其它图纸 | SO-8 Package Top SO-8 Package Side 1 SO-8 Package Side 2 |
标准包装 | 1 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | - |
包装 | 剪切带 (CT) |
FET 类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 20V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 5.3A (Ta) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 60 毫欧 @ 5.3A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 25µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 38nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1430pF @ 10V |
功率 - 最大值 | 2.5W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-TSOP(0.130",3.30mm 宽) |
供应商器件封装 | 8-SO |
产品目录页面 | 1578 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | DI9430 DI9430CT |