PDF查询| 数据列表 | CGH55030F2/P2 |
|---|---|
| 产品相片 | CGH55030F2 |
| 特色产品 | CGH55030F2 High Electron Mobility Transistor |
| 标准包装 | 58 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | RF FET |
| 系列 | GaN |
| 包装 | 管件 |
| 晶体管类型 | HEMT |
| 频率 | 4.5GHz ~ 6GHz |
| 增益 | 11dB |
| 电压 - 测试 | 28V |
| 额定电流 | - |
| 噪声系数 | - |
| 电流 - 测试 | 250mA |
| 功率 - 输出 | 30W |
| 电压 - 额定 | 84V |
| 封装/外壳 | 440166 |
| 供应商器件封装 | 440166 |
