PDF查询| 数据列表 | NESG7030M04 |
|---|---|
| 产品相片 | M04 PKG |
| 特色产品 | NESG7030M04 Transistor |
| 标准包装 | 1 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | RF 晶体管 (BJT) |
| 系列 | - |
| 包装 | 散装 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 4.3V |
| 频率 - 跃迁 | 5.8GHz |
| 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） | 0.5dB ~ 0.75dB @ 2GHz ~ 5.8GHz |
| 增益 | 14dB ~ 21dB |
| 功率 - 最大值 | 125mW |
| 不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 200 @ 5mA，2V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 30mA |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-343F |
| 供应商器件封装 | M04 |
| 其它名称 | NESG7030M04A |
