
| 数据列表 | BD645/47/49/51 |
|---|---|
| 标准包装 | 50 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 系列 | - |
| 包装 | 管件 |
| 晶体管类型 | NPN - 达林顿 |
| 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 8A |
| 电压 - 集射极击穿(最大值) | 60V |
| 不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) | 2.5V @ 50mA,5A |
| 电流 - 集电极截止(最大值) | 500µA |
| 不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 750 @ 3A,3V |
| 功率 - 最大值 | 2W |
| 频率 - 跃迁 | - |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 其它名称 | BD645S |