
| 数据列表 | AON5802 |
|---|---|
| 产品相片 | 6-DFN |
| 其它图纸 | AON5802A 6-DFN Top AON5802A 6-DFN Side AON5802A 6-DFN Bottom |
| 标准包装 | 5,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 阵列 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | 2 个 N 沟道(双) |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 7.2A |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 20 毫欧 @ 7.2A,4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 10.7nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1115pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 1.7W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-SMD,扁平引线裸焊盘 |
| 供应商器件封装 | 6-DFN-EP(2x5) |
| 其它名称 | 785-1134-2 |