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VISHAY - SI4936BDY-T1-E3 - 双 N沟道 30 V 0.035 Ohms 表面贴装 功率Mosfet - SOIC-8 - SI4936BDYT1E3
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SI4936BDY-T1-E3
制造商型号: SI4936BDY-T1-E3
制造商: VISHAY
描述: 双 N沟道 30 V 0.035 Ohms 表面贴装 功率Mosfet - SOIC-8
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
  • Channel Type: Dual N-Channel
  • Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 30 V
  • Drain-Source On Resistance-Max: 0.035 Ω
  • Qg Gate Charge: 15 nC
  • Rated Power Dissipation: 2.8 W

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