创唯电子
VISHAY - SI4925DDY-T1-GE3 - 场效应管 MOSFET PP沟道 30V 8A SO8 - SI4925DDYT1GE3
库存查询
您现在的位置： 首页 > 制造商索引 > VISHAY - SI4925DDY-T1-GE3 - 场效应管 MOSFET PP沟道 30V 8A SO8 - SI4925DDYT1GE3
搜索查看价格，货期，PDF，及最新库存

50个仓库，1500万条库存数据任选
SI4925DDY-T1-GE3|VISHAY
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
SI4925DDY-T1-GE3
制造商型号： SI4925DDY-T1-GE3
制造商： VISHAY
描述： 场效应管 MOSFET PP沟道 30V 8A SO8
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！
产品信息
  • 场效应管 MOSFET PP沟道 30V 8A SO8
  • 晶体管极性: P沟道
  • 电流, Id 连续: -8A
  • 漏源电压, Vds: -30V
  • 在电阻RDS（上）: 24mohm
  • 电压 @ Rds测量: -10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: -3V
  • 功耗, Pd: 5W
  • 工作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 150°C
  • 封装类型: SOIC
  • 针脚数: 8
  • 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
  • 模块配置: 双
  • 漏极电流, Id 最大值: -8A
  • 漏源电压 Vds, P沟道: -30V
  • 电压, Vgs 最高: 20V
  • 连续漏极电流 Id, P沟道: -8A
  • 通态电阻 Rds(on), P沟道: 0.029ohm

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: SI4925DDY-T1-GE3
旗下站点www.szcwdz.com.cn相关详细信息: SI4925DDY-T1-GE3
询价
  • *所需产品：
  • *联系人：
  • *联系电话：
  • *电子邮箱：
  • 备注内容：
  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
类似产品
电话：400-900-3095 邮箱：sales@szcwdz.com QQ：800152669
Copyright © 深圳市创唯电子有限公司 www.szcwdz.cn 粤ICP备11103613号