VISHAY - SI2367DS-T1-GE3 - P-CH 20V 3.8A SOT-23 MOSFET - SI2367DST1GE3
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SI2367DS-T1-GE3
- P-CH 20V 3.8A SOT-23 MOSFET - SI2367DST1GE3
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SI2367DS-T1-GE3
制造商型号:
SI2367DS-T1-GE3
制造商:
VISHAY
描述:
P-CH 20V 3.8A SOT-23 MOSFET
技术参考:
PDF查询
库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
Channel Type:
P-Channel
Drain-to-Source Voltage [Vdss]:
20 V
Drain-Source On Resistance-Max:
66 mΩ
Qg Gate Charge:
9 nC
Rated Power Dissipation:
0.96 W
旗下站点
www.szcwdz.com
相关详细信息:
SI2367DS-T1-GE3
旗下站点
www.szcwdz.com.cn
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型号: SI2367DS-T1-GE3 品牌: VISHAY 备注: P-CH 20V 3.8A SOT-23 MOSFET
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