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Vishay Siliconix - SI7501DN-T1-GE3 - MOSFET N/P-CH 30V PPAK 1212-8 - SI7501DNT1GE3
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SI7501DN-T1-GE3|Vishay Siliconix
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SI7501DN-T1-GE3
制造商型号: SI7501DN-T1-GE3
制造商: Vishay Siliconix
描述: MOSFET N/P-CH 30V PPAK 1212-8
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
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产品信息
数据列表 Si7501DN
产品相片 PowerPAK 1212-8
标准包装  3,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 阵列
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型N 和 P 沟道
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)5.4A,4.5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)35 毫欧 @ 7.7A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)14nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)-
功率 - 最大值1.6W
安装类型表面贴装
封装/外壳PowerPAK? 1212-8
供应商器件封装PowerPAK? 1212-8
产品目录页面1666 (CN2011-ZH PDF)
其它名称SI7501DN-T1-GE3TR
SI7501DNT1GE3

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