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Toshiba - TPN22006NH,LQ - MOSFET N CH 60V 9A 8-TSON - TPN22006NHLQ
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TPN22006NH,LQ|Toshiba
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TPN22006NH,LQ
制造商型号: TPN22006NH,LQ
制造商: Toshiba
描述: MOSFET N CH 60V 9A 8-TSON
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
数据列表 TPN22006NH
标准包装  3,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)9A (Ta)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)22 毫欧 @ 4.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)12nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)710pF @ 30V
功率 - 最大值18W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-PowerVDFN
供应商器件封装8-TSON高级
其它名称TPN22006NHLQ
TPN22006NHLQTR

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