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Toshiba - TPC8111(TE12L,Q,M) - MOSFET P-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B - TPC8111TE12LQM
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TPC8111(TE12L,Q,M)|Toshiba
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TPC8111(TE12L,Q,M)
制造商型号: TPC8111(TE12L,Q,M)
制造商: Toshiba
描述: MOSFET P-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
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产品信息
数据列表 TPC8111
Mosfets Prod Guide
标准包装  3,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)11A (Ta)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)12 毫欧 @ 5.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)107nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)5710pF @ 10V
功率 - 最大值-
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)
供应商器件封装8-SOP(5.5x6.0)

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