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Toshiba - TK100L60W,VQ - MOSFET N CH 600V 100A TO3P(L) - TK100L60WVQ
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TK100L60W,VQ|Toshiba
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TK100L60W,VQ
制造商型号: TK100L60W,VQ
制造商: Toshiba
描述: MOSFET N CH 600V 100A TO3P(L)
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
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产品信息
数据列表 TK100L60W
标准包装  100
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  管件  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能超级结
漏源极电压 (Vdss)600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)100A (Ta)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)18 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)3.7V @ 5mA, 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)360nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)15000pF @ 30V
功率 - 最大值797W
安装类型通孔
封装/外壳TO-3PL
供应商器件封装TO-3P(L)
其它名称TK100L60WVQ

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