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Toshiba - 2SJ200-Y(F - MOSFET,Pch,180V/10A,0.83ohm,TO-3P(N) - 2SJ200YF
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2SJ200-Y(F
制造商型号: 2SJ200-Y(F
制造商: Toshiba
描述: MOSFET,Pch,180V/10A,0.83ohm,TO-3P(N)
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
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产品信息
典型输入电容值@Vds1300 pF V @ 30
安装类型通孔
宽度4.8mm
封装类型TO-3PN
尺寸15.9 x 4.8 x 19mm
引脚数目3
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散120000 mW
最大栅源电压±20 V
最大漏源电压180 V
最大连续漏极电流10 A
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型P
配置
长度15.9mm
高度19mm

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