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STMicroelectronics - STW27NM60ND - MOSFET N-CH 600V 21A TO-247 - STW27NM60ND
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STW27NM60ND|STMicroelectronics
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STW27NM60ND
制造商型号: STW27NM60ND
制造商: STMicroelectronics
描述: MOSFET N-CH 600V 21A TO-247
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
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产品信息
数据列表 STW27NM60ND
产品相片 TO-247-3
其它有关文件 STW27NM60ND View All Specifications
标准包装  30
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列FDmesh™
包装  管件  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)21A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)160 毫欧 @ 10.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)-
功率 - 最大值160W
安装类型通孔
封装/外壳TO-247-3
供应商器件封装TO-247-3
产品目录页面1541 (CN2011-ZH PDF)
其它名称497-10086-5

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: STW27NM60ND
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