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STMicroelectronics - STP165N10F4 - MOSFET N-CH 100V 120A TO-220 - STP165N10F4
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STP165N10F4|STMicroelectronics
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STP165N10F4
制造商型号: STP165N10F4
制造商: STMicroelectronics
描述: MOSFET N-CH 100V 120A TO-220
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
数据列表 STP165N10F4
产品相片 TO-220-3, TO-220AB
其它有关文件 STP165N10F4 View All Specifications
标准包装  1,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列STripFET™ DeepGATE™
包装  管件  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)120A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)5.5 毫欧 @ 60A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)180nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)10500pF @ 25V
功率 - 最大值315W
安装类型通孔
封装/外壳TO-220-3
供应商器件封装TO-220AB
其它名称497-10710-5

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