典型接通延迟时间 | 20 ns | |
典型栅极电荷@Vgs | 28 nC @ 10 V | |
典型输入电容值@Vds | 900 pF @ 25 V | |
安装类型 | 通孔 | |
宽度 | 4.6mm | |
封装类型 | TO-220 | |
尺寸 | 10.4 x 4.6 x 15.75mm | |
引脚数目 | 3 | |
最大功率耗散 | 160 W | |
最大栅源电压 | ±30 V | |
最大漏源电压 | 600 V | |
最大漏源电阻值 | 0.45 Ω | |
最大连续漏极电流 | 11 A | |
每片芯片元件数目 | 1 | |
类别 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增强 | |
通道类型 | N | |
长度 | 10.4mm | |
高度 | 15.75mm |