数据列表 | STL60N32N3LL |
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其它有关文件 | STL60N32N3LL View All Specifications |
标准包装 | 3,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 阵列 |
系列 | STripFET™ |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | 2 N 沟道(双)非对称型 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 32A,60A |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 9.2 mOhm @ 6.8A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 1µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 6.6nC @ 4.5V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 950pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 23W, 50W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
供应商器件封装 | PowerFlat?(5x6) |
其它名称 | 497-13428-2 |