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STMicroelectronics - STL3NM60N - MOSFET N CH 600V 2.2A POWERFLAT - STL3NM60N
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STL3NM60N|STMicroelectronics
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STL3NM60N
制造商型号: STL3NM60N
制造商: STMicroelectronics
描述: MOSFET N CH 600V 2.2A POWERFLAT
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
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产品信息
数据列表 STL3NM60N
其它有关文件 STL3NM60N View All Specifications
标准包装  3,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列Mdmesh™ II
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)650mA (Ta), 2.2A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)1.8 欧姆 @ 1A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)9.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)188pF @ 50V
功率 - 最大值22W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-PowerVDFN
供应商器件封装PowerFlat?(3.3x3.3)
其它名称497-13351-2

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