数据列表 | STL11N3LLH6 |
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产品相片 | 8-PowerVDFN |
其它有关文件 | STL11N3LLH6 View All Specifications |
标准包装 | 3,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | STripFET™ DeepGATE™ |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 11A (Tpcb) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 7.5 毫欧 @ 5.5A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 17nC @ 4.5V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1690pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 50W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
供应商器件封装 | PowerFlat?(3.3x3.3) |
其它名称 | 497-11099-2 |