典型关断延迟时间 | 50 ns | |
典型接通延迟时间 | 14.4 ns | |
典型栅极电荷@Vgs | 26.5 nC V @ 4.5 | |
典型输入电容值@Vds | 2085 pF V @ 10 | |
安装类型 | 表面贴装 | |
宽度 | 6.15mm | |
封装类型 | PowerFLAT | |
尺寸 | 5.2 x 6.15 x 0.95mm | |
引脚数目 | 8 | |
最低工作温度 | -55 °C | |
最大功率耗散 | 60 W | |
最大栅源电压 | ±8 V | |
最大漏源电压 | 12 V | |
最大漏源电阻值 | 0.004 Ω | |
最大连续漏极电流 | 100 A | |
最高工作温度 | +150 °C | |
每片芯片元件数目 | 1 | |
类别 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增强 | |
通道类型 | N | |
配置 | 四漏极、三源 | |
长度 | 5.2mm | |
高度 | 0.95mm |