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STMicroelectronics - STD60N55F - MOSFET,N沟道,55V,80A,DPAK - STD60N55F
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STD60N55F
制造商型号: STD60N55F
制造商: STMicroelectronics
描述: MOSFET,N沟道,55V,80A,DPAK
技术参考: PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
典型关断延迟时间35 ns
典型接通延迟时间20 ns
典型栅极电荷@Vgs33.5 nC V @ 10
典型输入电容值@Vds2200 pF V @ 25
安装类型表面贴装
宽度6.2mm
封装类型TO-252
尺寸6.6 x 6.2 x 2.4mm
引脚数目3
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散110 W
最大栅源电压±20 V
最大漏源电压55 V
最大漏源电阻值8.5 mΩ
最大连续漏极电流80 A
最高工作温度+175 °C
每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型N
长度6.6mm
高度2.4mm

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